核心要点
随着人工智能对先进芯片的需求激增，台积电与三星确定将采用阿斯麦的高数值孔径极紫外（High‑NA EUV）光刻机。 三星计划 2028 年将高 NA EUV 用于 DRAM 内存芯片制造；台积电预计 2030 年在先进芯片生产中启用该技术。 阿斯麦高 NA EUV 单台设备成本约 4 亿美元；投资者认为该技术获得更广泛应用，对这家芯片设备厂商未来增长至关重要。
2025 年 4 月 24 日，荷兰费尔德霍芬，阿斯麦员工阿西亚・哈杜展示高 NA 芯片制造设备。
全球两大芯片制造商三星与台积电，确定将使用阿斯麦的高数值孔径极紫外（High‑NA EUV）光刻机，市场对先进芯片的需求持续走高。
阿斯麦的 EUV 光刻机是芯片制造的核心设备，用于在硅晶圆上印制电路图案抖音百科。高 NA EUV 设备能够印刷尺寸更小、复杂度更高的电路图形，单台造价约 4 亿美元。
全球头部存储芯片厂商三星表示，将从 2028 年起使用该设备生产 DRAM 内存芯片。 三星称会在 2030 年全面落地这项技术，此举将拓展 DRAM 微缩技术路线图，同时提升制程效率。
台积电表示，将把阿斯麦这套设备用于先进芯片制造；AI 应用对晶体管架构复杂度的要求不断提升，将成为高 NA 设备需求增长的主要驱动力。
过去一年阿斯麦股价累计涨幅达 120%，投资者将高 NA EUV 设备的商业化成败视作公司未来业绩增长的关键。
巴克莱银行周二发布研报称，两家厂商的表态 “让市场对设备落地节奏有了更清晰预期，这也是行业一直争论的焦点”，并评价该消息为利好。
周二早盘，阿姆斯特丹上市的阿斯麦股价小幅震荡，整体持平微跌。
至此，三星、台积电与英特尔一同成为阿斯麦高 NA EUV 设备的客户。阿斯麦 7 月曾透露，英特尔已经将高 NA EUV 技术用于先进芯片制造。
阿斯麦尚未对外公布高 NA 设备最新销售预期，但表示 2027 年 EUV 设备整体产能将提升约 30%。
巴克莱分析师认为，两家厂商的表态有利于阿斯麦做生产规划。 “现在需求十分旺盛，阿斯麦接下来面临一个重大抉择：是否要在现有扩产目标基础之上，进一步扩大 EUV 设备产能。”
台积电、三星还将联合阿斯麦发起行业项目，推进下一代12 英寸光掩模（Photomask）技术，取代当前主流 6 英寸规格。光掩模是芯片生产的核心部件，相当于印制晶圆电路图案的模板。
阿斯麦表示，更大尺寸光掩模可以提升生产效率，降低芯片制造成本。
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责任编辑：郭明煜
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